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VCP系列晶圓級等離子清洗機

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更新時間：2024-11-26 11:47:25瀏覽次數：107次

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產品簡介

編號內容規格參數備注1整機結構帶load port系統分為前端設備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統與等離子體處理單元分體式設計2等離子體源射頻等離子體源或雙頻等離子體源3反應腔室標準設計為雙反應腔室，可根據需求定制單反應腔室和多反應腔室結構4機械傳片單臂或雙臂高精度機械手5Wafer升降機械式Wafer pin升降結構，Wafer pin采用特定工藝處理6前真空泵干式真空泵，根據安裝位置及工藝不同，選擇100-300m3/h規···

詳細介紹

編號	內容	規格參數	備注
1	整機結構	帶load port系統分為前端設備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統與等離子體處理單元分體式設計
2	等離子體源	射頻等離子體源或雙頻等離子體源
3	反應腔室	標準設計為雙反應腔室，可根據需求定制單反應腔室和多反應腔室結構
4	機械傳片	單臂或雙臂高精度機械手
5	Wafer升降	機械式Wafer pin升降結構，Wafer pin采用特定工藝處理
6	前真空泵	干式真空泵，根據安裝位置及工藝不同，選擇100-300m3/h規格
7	高真空真空泵	分子泵（水冷或CDA冷卻）
8	工藝壓力控制	自動調壓蝶閥
9	真空檢測	管道真空計、反應腔室全量程真空計、工藝真空計、壓差開關
10	工藝氣體種類	標準配置高純Ar、N2、O2，可增加其他高純工藝氣體
設備主要應用：晶圓級封裝前表面預處理、晶圓級鍵合前表面活化、光刻膠涂覆前表面活化、晶圓表面較小particle去除、表面有機殘留去除等。設備主要特點：可兼容多尺寸晶圓、可實現多反應腔室定制、超潔凈反應腔室，有效控制各種污染物、整機空間環境污染物控制、射頻等離子發生器或雙頻等離子發生器、晶圓表面損傷小，可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。